醫(yī)用活度計(jì) 便攜式放射性活度計(jì) 放射性核素活度計(jì)  型號(hào)：DP175

介紹
放射性活度計(jì)(Radioactivity meter)是測(cè)量放射性衰變率的儀器。放射性衰變率曾經(jīng)稱為放射性和放射性強(qiáng)度，1962年輻射學(xué)單位委員會(huì)建議使用放射性活度。1975年計(jì)量大會(huì)規(guī)定活度的標(biāo)準(zhǔn)單位為“貝可”（Bq），每秒衰變1次等于1貝可。“居里”（Ci）仍為暫時(shí)并用單位。1Ci=3.7×1010Bq。

應(yīng)用：
活度計(jì)廣泛用于醫(yī)院、放射性藥廠、核電站、放射源生產(chǎn)企業(yè)、科研部門和放射性計(jì)量檢測(cè)部門。隨著核醫(yī)學(xué)的發(fā)展，同位素診斷和治療的新藥不斷涌現(xiàn)，新同位素應(yīng)用不斷增加。備有一臺(tái)性能優(yōu)良并能測(cè)量各種核素的活度計(jì)，對(duì)醫(yī)院的長(zhǎng)期發(fā)展是十分必要的，對(duì)用藥前的活度檢測(cè)和質(zhì)量監(jiān)控也是必不可少的。

標(biāo)準(zhǔn)活度計(jì)基本部件是4πγ高氣壓井型電離室。放射源放入井中，γ射線向四面八方發(fā)射，井壁作為接收窗，立體角接近4π，所以探測(cè)效率很高，探測(cè)效率還決定于井壁的吸收。不銹鋼井壁對(duì)低能輻射有強(qiáng)烈的吸收作用，能量愈低吸收愈強(qiáng)烈。例如125I主要γ射線能量是27.5KeV，不銹鋼井壁就難于穿入，只有鋁井壁才可以測(cè)量。上公認(rèn)鋁材是制作井壁的佳材料。但鋁材焊接是一難題，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)期沒能解決。這一難題已被我公司攻克。DP175型活度計(jì)就是采用鋁井壁，能很好的測(cè)量125I、131I、11C、13N、15O、18F等核素。

DP175型活度計(jì)的另一特點(diǎn)是：測(cè)量核素多，穩(wěn)定性好。尤其對(duì)低活度測(cè)量有很大優(yōu)勢(shì)，對(duì)＜10μCi的核素，目前國(guó)內(nèi)外很多類型的活度計(jì)均不能給出穩(wěn)定的測(cè)量值，DP175可做到誤差≤5%。

國(guó)防科工委放射性計(jì)量一級(jí)站的評(píng)價(jià)是：“DP175型放射性活度計(jì)屬于4πγ高氣壓電離室類型。由于電離室鋁井壁制作工藝和一些技術(shù)難題已得到解決，使電離室的γ射線低能探測(cè)效率和穩(wěn)定性大大提高。

如今國(guó)防科工委放射性計(jì)量一級(jí)站已把DP175C型活度計(jì)作為活度量值傳遞的標(biāo)準(zhǔn)儀器；中國(guó)原子能研究院和原子高科同位素生產(chǎn)部、中國(guó)輻射防護(hù)研究院、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)生命科學(xué)學(xué)院、中國(guó)人民解放軍總醫(yī)院核醫(yī)學(xué)科PET中心等單位均裝備了DP175型活度計(jì)。DP175型活度計(jì)已成為國(guó)外高性能活度計(jì)的替代產(chǎn)品。

經(jīng)過十多年使用，用戶普遍反映DP175型活度計(jì)穩(wěn)定性好，精度高，尤其是活度低于10μCi的核素測(cè)量仍有很好的精度。用戶對(duì)我們的的售后服務(wù)也十分滿意。詳細(xì)資料請(qǐng)參看技術(shù)欄中的“放射性活度計(jì)檢測(cè)報(bào)告”和文章“放射性活度計(jì)靈敏度曲線測(cè)量及應(yīng)用”。
DP175型活度計(jì)在設(shè)計(jì)上增加了電室周圍防護(hù)層的厚度，即能降低周圍環(huán)境本底，又可阻擋強(qiáng)源對(duì)外輻射；在程序上做到連續(xù)快速測(cè)量，對(duì)短壽命核素如18F等的測(cè)量非常有利。在井型活度計(jì)的基礎(chǔ)上，我們也愿利用掌握的電離室技術(shù)，按用戶要求設(shè)計(jì)新產(chǎn)品，滿足用戶的不同需要。

技術(shù)參數(shù)
測(cè)量核素：190個(gè)；
相對(duì)基本誤差：±2.2%；
長(zhǎng)期穩(wěn)定性：±0.12%；
分辨率：1KBq(0.03μCi)；
重復(fù)性：±0.12%；
量程：3.7KBq—370GBq；
低能探測(cè)限：13KeV；
測(cè)量時(shí)間：1-13s，可連續(xù)測(cè)量。
2、高壓電離室結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
電離室坪斜：0.008%；
噪聲電流：±2×10-14 A；
噪聲本底(60Co)：1KBq。
3、單片機(jī)配置型
單片機(jī)、液晶屏、12位A/D；
232口與Pc機(jī)通訊、寬行高速微打；
核素活度、遞衰活度及半衰期測(cè)量；
監(jiān)督源校正、時(shí)間換算和參數(shù)查詢；
自動(dòng)換檔和扣除本底。
4、Pc機(jī)配置型
Pc機(jī)、12位A/D；
核素活度和遞衰活度測(cè)量；
監(jiān)督源校正、時(shí)間換算和參數(shù)查詢；
半衰期測(cè)量和誤差計(jì)算；
小二乘法計(jì)算斜率、截距和標(biāo)準(zhǔn)偏差。

5、靈敏度和井深軸向曲線