公司近年來不斷地引進國內(nèi)外先進的生產(chǎn)設(shè)備及制造工藝，研發(fā)新技術(shù)，增強技術(shù)優(yōu)勢，改良產(chǎn)品設(shè)計，力求創(chuàng)造質(zhì)量一流的產(chǎn)品。公司主導產(chǎn)品服務(wù)于半導體及光伏行業(yè)檢測.節(jié)能檢測.霧氣檢測等行業(yè)的工藝與設(shè)計；公司以“卓越的品質(zhì)，真摯的服務(wù)、低廉的價格”為宗旨，為國內(nèi)廣大用戶提供了周到的售前咨詢和售后服務(wù)，并與國內(nèi)外多家儀器儀表制造廠商和國內(nèi)科研機構(gòu)建立了密切長期的合作伙伴關(guān)系。

卓耐科技歡迎各位客戶前來光臨做客，我們將以最真誠的服務(wù)來回報廣大客戶對我們工作的支持。我們會不斷推出質(zhì)量可靠，性能卓越的產(chǎn)品，堅持以質(zhì)量效益為發(fā)展道路，以讓顧客滿意為永恒主題。也同時希望社會給予我們更多的關(guān)注。

 www.ace-gem.com卓耐科技推出的ZNC-1C是一款功能強大的少子壽命測試儀，不僅適用于硅片少子壽命的測量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測量。少子測試量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達0.1Ω.cm(可擴展至0.01Ω.cm)。測試過程全程動態(tài)曲線監(jiān)控，少子壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復合效應(yīng)等缺陷情況.

使用范圍

用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項目。

產(chǎn)品特點
u        測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅       片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
u        主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。
u        適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達ρ＞0.1Ω?cm（可擴展至0.01Ω?cm），完全解決了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題。
u        全程監(jiān)控動態(tài)測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復合效應(yīng)缺陷的問題。
u        貫穿深度大，達500微米，相比微波光電導的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應(yīng)的干擾。 
u        專業(yè)定制樣品架zui大程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
u        性價比高，價格遠低于國外國外少子壽命測試儀產(chǎn)品，極大程度地降低了企業(yè)的測試成本。

技術(shù)參數(shù)
測量范圍       硅晶體電阻率：0.005-50000Ω•cm
鍺單晶：       0.1-100Ω•cm
可測材料       硅半導體材料 - 硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片等，鍺半導體材料
少子壽命       1μs-6000μs
可測硅料電阻率   ≥0.1Ω.cm
激光波長       1.07μm
貫穿深度       500μm
供電電源       ～220V 50Hz 功耗＜50W
推薦使用環(huán)境   溫度：23±2℃   相對溫度：≤65%