HTR-4立式4寸快速退火爐（芯片熱處理設(shè)備）廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)，和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長(zhǎng)、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中，通過(guò)快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能，技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專用性強(qiáng)。...

HTR-4立式4寸快速退火爐

 

HTR-4立式4寸快速退火爐（芯片熱處理設(shè)備）廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)，和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長(zhǎng)、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中，通過(guò)快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能，技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專用性強(qiáng)。

主要應(yīng)用領(lǐng)域：

1.快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；

2.離子注入/接觸退火；

3.金屬合金；

4.熱氧化處理；

5.化合物合金（砷化鎵、氮化物等）；

6.多晶硅退火；

7.太陽(yáng)能電池片退火；

8.高溫退火；

9.高溫?cái)U(kuò)散。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

·         可測(cè)大尺寸樣品：可測(cè)單晶片樣品的尺寸為4英寸。

·         壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)：高精度控制壓力，以滿足不同的工藝要求。

·         存儲(chǔ)熱處理工藝：方便工藝參數(shù)調(diào)取，提高實(shí)驗(yàn)效率，數(shù)據(jù)可查詢。

·         快速控溫與高真空：最高升溫速率可達(dá)150℃/s，真空度最高可達(dá)到10^-5Pa。

·         程序設(shè)定與氣路擴(kuò)展：可實(shí)現(xiàn)不同溫度段的精確控制，進(jìn)行降溫段的自動(dòng)轉(zhuǎn)接，并能夠?qū)に嚥藛芜M(jìn)行保存，方便調(diào)用。采用MFC精確控制氣體流量，實(shí)現(xiàn)不同氣氛環(huán)境（真空、氮?dú)獾龋┫碌臒崽幚怼?/span>

·         獨(dú)特的腔體空間設(shè)計(jì)：保證大尺寸樣品的溫場(chǎng)均勻性 ≤1%。

·         全自動(dòng)智能控制：采用全自動(dòng)智能控制，包括溫度、時(shí)間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制。

·         超高安全系數(shù)：采用爐門安全溫度開啟保護(hù)、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施，全方位保障設(shè)備使用安全。

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·         主要技術(shù)參數(shù)：

最大樣品尺寸	4英寸（直徑100mm）
控溫范圍	RT~1200℃
升溫速率（max）	150℃/s
高溫段降溫速率（max）	1200℃/min
控溫精度	±0.5℃
溫場(chǎng)均勻性	≤1%
氣體流量	標(biāo)配1路MFC控制（氮?dú)猓┛蓴U(kuò)展至4路
壓力控制	~1bar，±100Pa
工藝條件	支持真空、氧化、還原、惰性氣體等工藝氣氛，一鍵設(shè)置通過(guò)軟件控制真空及通氣時(shí)間

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