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產(chǎn)品詳情
- 產(chǎn)品/服務(wù)：JKZC-DCHH系列高低溫真空探針臺
- 單 價：面議
- 更新日期：2024-09-18
- 有效期至：長期有效
- 瀏覽次數(shù)：854
產(chǎn)品簡介
JKZC-DCHH系列高低溫真空探針臺是我司自主研發(fā)的一款在極端環(huán)境下給樣品加載電學(xué)信號的設(shè)備?？梢詫崿F(xiàn) 器件及材料表征的IV/CV特性測試，射頻測試，光電測試等。通過液氮或者壓縮機制冷，可以在防輻射屏內(nèi)營造一個穩(wěn)定的測試環(huán)境。在特殊材料，半導(dǎo)體器件等研究方向具有廣泛運用。...
產(chǎn)品詳細介紹
JKZC-DCHH系列高低溫真空探針臺
產(chǎn)品概要
JKZC-DCHH系列高低溫真空探針臺是我司自主研發(fā)的一款在極端環(huán)境下給樣品加載電學(xué)信號的設(shè)備。可以實現(xiàn) 器件及材料表征的IV/CV特性測試，射頻測試，光電測試等。通過液氮或者壓縮機制冷，可以在防輻射屏內(nèi)營造一個穩(wěn)定的測試環(huán)境。在特殊材料，半導(dǎo)體器件等研究方向具有廣泛運用。
極低溫測試:因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時，空氣中的水汽會凝結(jié)在晶圓上，會導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程 泵的運轉(zhuǎn)。
高溫?zé)o氧化測試:當(dāng)晶圓加熱至300°C,400°C,500°C甚至更高溫度時，氧化現(xiàn)象會越來越明顯，并且溫度越 高氧化越嚴重。過度氧化會導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測試前用泵抽走,并且保持整個測試過程泵的運轉(zhuǎn)。
JKZC-DCHH系列高低溫真空探針臺技術(shù)特點
-防輻射屏和熱沉設(shè)計；
?降溫速度快，常溫降至77k<25mins,大大提高測試效率；
?液氮自動控制系統(tǒng)，液氮流量模塊和溫度控制模塊一起聯(lián)動共同控制溫度。
JKZC-DCHH系列高低溫真空探針臺詳細參數(shù)
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產(chǎn)品類型 |
低溫開循環(huán) |
低溫閉循環(huán) |
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主體材料 |
航空鋁 |
航空鋁 |
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型號 |
JKZC-JKZC-DCHH-196k |
JKZC-JKZC-DCHH4k |
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外形 |
850*850*600mm |
900*850*600mm |
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重? |
約100kg |
約150kg |
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電力需求 |
AC220V,50?60HZ |
AC380V,50~60HZ |
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腔體 |
腔體尺寸 |
8英寸，帶4英寸高紅外透射率觀察窗 |
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樣品臺尺寸 |
2英寸/4英寸（鍍金） |
2英寸（鍍金） |
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樣品固定方式 |
真空導(dǎo)熱硅脂/彈簧壓片 |
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真空度 |
10A-5pa最高真空 |
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接口形式 |
電信接口，真空接口，光纖接口，冷源接口等 |
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其它 |
帶防輻射屏和熱沉設(shè)計 |
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溫控系統(tǒng) |
制冷方式 |
液氮 |
壓縮機 |
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溫控范圍 |
77K-473K （973k可選） |
4.2K~450K |
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溫控精度和穩(wěn)定性 |
土 0丄度/±0丄度 |
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降溫速度 |
常溫降到77k優(yōu)于25mins |
常溫降到：10k優(yōu)于180mins |
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控制方式 |
液氮自動流量控制 |
壓縮機控制 |
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光學(xué)系統(tǒng) |
顯微鏡類型 |
體式顯微鏡/視頻顯微鏡/金相顯微鏡+CCD成像系統(tǒng) |
體式/單筒顯微鏡+CCD成像系統(tǒng) |
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倍率范圍 |
16X~200X/40X~280X/20X ?2000X |
16X-200X/40X-280X |
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移動范圍 |
水平360度旋轉(zhuǎn)，Z軸50.8mm調(diào)焦，帶萬向支架 |
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真空腔觀察窗尺寸 |
4inch |
4inch |
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CCD像素 |
2k或者4K相機，幀率60fps,帶拍照/錄像/測量功能等功能 |
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探針臂 |
探針臂數(shù)? |
最多6個 |
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X￥Z行程 |
50mm-25mm-25mm |
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點針精度 |
10微米/2微米 |
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漏電精度 |
同軸夾具10pA/三軸夾具100 fA |
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接口形式 |
三軸/SMA/K/光纖接口 |
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頻率范圍 |
JKZC-DCH-67G |
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探針 |
探針直接 |
lum~100um 可選 |
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材質(zhì) |
磚鋼，披銅 |
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真空系統(tǒng) |
機械泵/分子泵組/離子泵 |
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可選附件 |
防震桌，鍍金卡盤，氣敏測試組件等 |
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應(yīng)用方向 |
高低溫真空環(huán)境下的芯片測試，材料測試，霍爾測試，電磁輸運特性等 |
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