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HDJF-A HDCJ雷擊沖擊電壓發(fā)生器

武漢華頂電力設(shè)備有限公司
會員指數(shù): 企業(yè)認(rèn)證:

價格:電議

所在地:湖北 武漢市

型號:HDJF-A

更新時間:2023-09-06

瀏覽次數(shù):1805

公司地址:經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)www.whhddl.cn

涂建(先生) 銷售 

產(chǎn)品簡介

HDCJ雷擊沖擊電壓發(fā)生器在所有武漢華頂電力設(shè)備有限公司所生產(chǎn)的HDCJ雷擊沖擊電壓發(fā)生器,沖擊電壓發(fā)生器參數(shù)均需要技術(shù)人員提供詳細(xì)參數(shù)及報價方案,以下沖擊電壓發(fā)生器參數(shù)僅適用于110kV(HDCJ-900kV/33.75kJ)及以下電力產(chǎn)品

公司簡介

專業(yè)生產(chǎn)直流電阻測試儀,工頻耐壓試驗(yàn)裝置 ,繼電保護(hù)測試儀,電纜故障測試儀的廠家,公司已有三項專利
展開

產(chǎn)品說明

一.產(chǎn)品簡介:
    1.在所有武漢華頂電力設(shè)備有限公司所生產(chǎn)的HDCJ雷擊沖擊電壓發(fā)生器,沖擊電壓發(fā)生器參數(shù)均需要技術(shù)人員提供詳細(xì)參數(shù)及報價方案,以下沖擊電壓發(fā)生器參數(shù)僅適用于110kV(HDCJ-900kV/33.75kJ)及以下電力產(chǎn)品,以下配置參數(shù)供您參考,如果其它電壓等級如10kV(HDCJ-200kV/10kJ).35kV(HDCJ-400kV/20kJ)等電壓等級參數(shù)配置及報價,請?zhí)砑佑晒救藛T發(fā)給您詳細(xì)配置及參數(shù)報價,提出了設(shè)備的功能設(shè)計、結(jié)構(gòu)、性能、安裝和試驗(yàn)等方面的技術(shù)說明。
    HDCJ雷擊沖擊電壓發(fā)生器滿足現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)、標(biāo)準(zhǔn)及有關(guān)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本套裝置所輸出電壓波形及效率:(負(fù)荷電容小于5500pF時包含分壓器電容)下,可產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓波形數(shù)量:3個。
   A.標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊全波電壓波形
   波頭時間:1.2±30%μs,波尾時間:50±20%μs,過沖:小于5%,效率:不低于90%。±1.2/50μs標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓全波,效率大于90%。
   B.標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊截波電壓波形。
   HDCJ雷擊沖擊電壓發(fā)生波頭時間:1.2±30%μs,過沖:小于5%,截斷時間:2~6μs,電子時延控制,效率:不低于90%,采用截斷裝置可產(chǎn)生截斷時間2~6μs的雷電截波,截波分散性小于100ns。
   C.變壓器電抗器雷電沖擊電壓試驗(yàn)專用的示傷電流全波波形。
二.執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):
    GB311.1-1997高壓輸變電設(shè)備的緣配合
    GB/T16927.1-1997高電壓試驗(yàn)技術(shù),一般試驗(yàn)要求
    GB/T16927.2-1997高電壓試驗(yàn)技術(shù),測量系統(tǒng)
    GB/T16896.1-1997高電壓沖擊試驗(yàn)用數(shù)字記錄儀
    ZB F24 001-90沖擊電壓測量實(shí)施細(xì)則
    GB191 包裝運(yùn)標(biāo)志
    GB4208 外殼防護(hù)等級
    GB813-89 沖擊試驗(yàn)用示波器及峰值表
三.使用條件:
    HDCJ雷擊沖擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)系統(tǒng)裝置主要適用于110kV及以下電力產(chǎn)品的雷電沖擊電壓全波,也可用于其它產(chǎn)品的沖擊試驗(yàn)。
    1.海拔高度不超過1500m
    2.環(huán)境溫度:-15~+50℃
    3.空氣相對濕度:≤90%
    4.安裝使用地點(diǎn):戶內(nèi)使用,可移動
    5.必須設(shè)有一個屏蔽控制室及可靠接地點(diǎn),接地電阻<1Ω!
    6.沖擊發(fā)生器(型號:HDCJ-900/33.7)
       A.沖擊發(fā)生器主要技術(shù)參數(shù)
       B.標(biāo)稱雷電波沖擊電壓:HDCJ-900kV
       C.標(biāo)稱容量(能量):33.75kJ
       D.級電容:0.6μF,100kV(100kV-0.6μF)干式全緣封裝
       E.級電壓:±150kV 
       F.級數(shù)/級容量:5 / 6.75kJ
       G.輸出波形:±1.2/50μs標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓全波,效率大于90%;
       H.同步范圍:大于20%
       I.使用持續(xù)時間:
         小于80%額定工作電壓時可連續(xù)工作
          大于80%額定工作電壓時可間斷工作
      J.幅值調(diào)節(jié)誤壓差小于1%,zui低輸出電不大于10%設(shè)備標(biāo)稱電壓。
      K.同步誤動率:小于1%
      L.底座:2m × 1.5m (腳輪移動)。
      高度:約3.5米。
      重量:約860kg。
7.沖擊電壓發(fā)生器的技術(shù)說明
      A.發(fā)生器的結(jié)構(gòu)
      B.采用瑞士HAEFELY公司SGS系列的主回路設(shè)計,從而實(shí)現(xiàn)了整體超小型。
      C.采用每分鐘一轉(zhuǎn)的低速齒輪齒條傳動機(jī)構(gòu)調(diào)整各級球隙,不僅無噪聲、磨損小,而且定位快速、準(zhǔn)確。
      D.采用彈簧壓接、方便拔插的調(diào)波電阻固定機(jī)構(gòu),保證了接觸的可靠性,使輸出波形光滑無毛刺。
      E.配合PLC電氣控制系統(tǒng)的脈沖放大器可使同步球隙具有20%以上的觸發(fā)范圍,保證觸發(fā)的可靠性,控制方便可靠。
      F.同步球隙的觸發(fā)無性效應(yīng),無須雙邊觸發(fā)。
8.主電容器
    A.主電容器采用高密度固體電容器,每臺電容量為0.6±0.05μF,直流工作電壓為±100kV,電容器固有電感小于0.2μH,重量輕,體積小,為創(chuàng)。
    B.電容器在正常工作狀態(tài)和工作環(huán)境下凹凸變形小于1mm。
    C.電容器為固體緣介質(zhì)和外殼干式全緣封裝,不存在漏油、變形等問題。
9.調(diào)波元件
    A.波頭、波尾電阻具有足夠的熱容量,可保證發(fā)生器長時間連續(xù)運(yùn)行。
    B.充電電阻具有足夠的熱容量,可保證發(fā)生器長時間連續(xù)運(yùn)行。
    C.波頭、波尾電阻采用板形結(jié)構(gòu),使用康銅絲無感繞制而成,外部采用緣樹脂真空澆鑄,接頭為彈簧壓接式,易于安裝。
    D.波頭、波尾電阻的連接頭采用3mm不銹鋼線切割制造。
    E.共有1組半波頭電阻、1組半波尾電阻用于雷電沖擊,另有1組充電電阻和保護(hù)電阻。
10.控制、保護(hù)系統(tǒng)
   采用PLC電氣控制系統(tǒng)為沖擊電壓發(fā)生器主體部分提供各種控制,完全滿足沖擊試驗(yàn)的各種控制 
功能。PLC控制系統(tǒng)采用進(jìn)口PLC器件,與設(shè)備主體的連接采用兩芯光纜。
   A.PLC全自動控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)手動控制。專用軟件包可以與測量和波形分析用的峰值電壓表、示波器等配合使用,實(shí)現(xiàn)沖擊電壓試驗(yàn)系統(tǒng)計算機(jī)測控一體化。
  B.控制系統(tǒng)具備以下控制功能:
   1.控制功能具有手動控制,各層次功能相對,確保系統(tǒng)的可靠性。
   2.采用可控硅調(diào)壓方式,具有充電電壓反饋測量系統(tǒng)。
   3.點(diǎn)火球隙可手動,并在控制面板上顯示。
   4.采用函數(shù)控制恒流充電方式,充電電壓的穩(wěn)定度可達(dá)到0.5%。
   5.液晶面板可指示沖擊發(fā)生器的充電電壓,精度為1%。
   6. 具有充電異常保護(hù)功能,手動發(fā)出觸發(fā)點(diǎn)火脈沖
   7.設(shè)備主體及充電部分接地和接地解除控制。
   8.手動控制充電電壓的充電過程
   9.手動響警鈴報警
   10.具有過電流和過電壓自動保護(hù)
  C.同步球隙一級采用三電球隙觸發(fā),觸發(fā)范圍大于20%。
  D.安全接地系統(tǒng)
  E.采用電磁鐵自動接地機(jī)構(gòu)通過一個接地電阻將發(fā)生器的一級電容接地。
  F.接地操作與充電控制具有連鎖保護(hù),確保操作安全正常。
11.主要配置的設(shè)備
  A.整流充電電源(與沖擊本體一體化)
     型    號:HDLGR-100/100
     額定電壓:Un = 100kV DC (正或負(fù)性)
     額定電流:In = 100mA (額定電壓下)
     電壓控制:可控硅模塊調(diào)壓,調(diào)壓范圍0~ Un
     性轉(zhuǎn)換:手動變換高壓硅堆的方向
     輸入電壓:220V 單相電壓
     電源頻率:50/60 Hz 
     電源消耗:約5kVA
  B.弱阻尼電容分壓器
     型    號:HDCR-900kV/500pF
     額定電壓:900kV
     額定電容:500pF
     電容節(jié)數(shù):2節(jié),每節(jié)電容:1000pF(375-1200脈沖電容器)
     方波響應(yīng):部分響應(yīng)時間小于100ns,過沖小于10%
     分壓比:約500,分壓比不確定度:小于1%
  C.測量設(shè)備
     型    號:HDIMS-1000數(shù)字化沖擊測量系統(tǒng)
      幅值測量:HZ(IPM)23型沖擊峰值電壓表
     輸入范圍:150V ~ 1600V(沖擊電壓)
     測量不確定度:小于1%
     波形測量:TDS1012C-SC數(shù)字示波器,zui高采樣率1.0GS/s,帶寬大于100MHz,分辨率8bit,記錄長度2.5k字節(jié)(可滿足沖擊試驗(yàn)要求),2通道
     波形分析:工業(yè)控制計算機(jī)工作站(采用15寸液晶顯示屏)
     沖擊測量專用軟件包:沖擊波形參數(shù)計算及顯示,波形比較功能,波形的放大、縮小及平移,波形的存儲及調(diào)用,波形的成圖及報告編寫
附    件:高性能100倍專用衰減器1支
隔離濾波屏蔽設(shè)
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