| 提交詢價信息 |
| 發(fā)布緊急求購 |
價格：電議
所在地：陜西 西安市
型號：
更新時間：2024-09-25
瀏覽次數(shù)：863
公司地址：西安市西咸新區(qū)中興深藍(lán)科技產(chǎn)業(yè)園
張芳(女士) 總經(jīng)理
西安智盈電氣科技有限公司成立于2019年，公司地處西安市西咸新區(qū)秦創(chuàng)園國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，本公司是一家集科研開發(fā)，生產(chǎn)經(jīng)營，技術(shù)服務(wù)為一體具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)。公司技術(shù)工藝，檢測手段完善，擁有一批長期從事電力電子技術(shù)，自動控制系統(tǒng)與應(yīng)用，感應(yīng)加熱技術(shù)，微電子技術(shù)基礎(chǔ)建設(shè)等研究開發(fā)的高級工程師和技術(shù)人才，實(shí)力雄厚，多項(xiàng)產(chǎn)品在行業(yè)中處于地位。已通過ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件研發(fā)，電力，鐵路交通，新能源汽車，石油，化工，環(huán)保電子等行業(yè)，公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品有功率半導(dǎo)體器件及組件的檢測設(shè)備及工藝設(shè)備等。公司還致力于發(fā)展系統(tǒng)工程，程序控制。新能源開發(fā)及應(yīng)用等新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，公司具有較強(qiáng)的技術(shù)開發(fā)能力，可根據(jù)用戶和市場的需求，提供技術(shù)方案，技術(shù)咨詢，專業(yè)培訓(xùn)與服務(wù)，奉行技術(shù)創(chuàng)新，誠信服務(wù)愿與國內(nèi)外同行及用戶真誠合作共同進(jìn)入高科技的新時代。
通過我們自己研發(fā)的各種產(chǎn)品，比如像半導(dǎo)體器件測試儀，加快了半導(dǎo)體各類材料、半導(dǎo)體器件和工藝的開發(fā)，完成制程控制、可靠性分析和故障分析；諸如IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，它們可以滿足對IGBT的大電流、高電壓的測試要求，是檢測半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備；還有像雪崩能量測試儀、晶閘管電參數(shù)測試儀、二極管電參數(shù)測試儀、功率模塊可靠性測試儀、模塊高溫阻斷試驗(yàn)設(shè)備等產(chǎn)品，做的也是相當(dāng)?shù)某霾?，這就是我對我們的產(chǎn)品十分的有信心，這就是我們團(tuán)隊所有的力量。質(zhì)量是企業(yè)長遠(yuǎn)生存的根基，是企業(yè)競爭的免死，質(zhì)量在心中，責(zé)任在肩上，誠信在言行中，相信我們國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)，控在品質(zhì)！
多年來，公司與時俱進(jìn)，產(chǎn)品銷往全國各地，據(jù)不完全統(tǒng)計，有深圳華為技術(shù)有限公司、蘇州華為技術(shù)有限公司、深圳比亞迪股份有限公司、深圳華科智源科技有限公司、廣東慧核工業(yè)器材有限公司、安徽長飛半導(dǎo)體有限公司、天津中科方德科技有限公司、江蘇揚(yáng)杰半導(dǎo)體有限公司、新飛宇電子科技有限公司、揚(yáng)州國宇電子有限公司、國網(wǎng)電力科學(xué)研究院有限公司、大連東芝電力機(jī)車、清華大學(xué)、南京大學(xué)、華北電力大學(xué)等一些國有大型企業(yè)與之合作，經(jīng)過我們的不時努力和追求，也博得了眾多企業(yè)的認(rèn)可和好評。追求永不停步，創(chuàng)新永無止境，為取得長足發(fā)展，公司會以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、前沿的技術(shù)和周到的服務(wù)來回饋用戶，為社會的科技進(jìn)步作出貢獻(xiàn)！
核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備的研制生產(chǎn)，參數(shù)測試設(shè)備：
可控硅/晶閘管（參數(shù)測試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測試；動態(tài)參數(shù)測；浪涌參數(shù)測試；老化可靠性測試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測試。
MOSFET參數(shù)測試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；動態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力測試，老化及可靠性測試（HTRB / HTGB）。
IGBT參數(shù)測試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE /
主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測試單元IGT/VGT
1. 陽極電壓：12V;
2. 陽極串聯(lián)電阻：6Ω;
3. 門極觸發(fā)電壓：0.3～5.00V±3%±10mV;
4. 門極觸發(fā)電流：2～450mA±3%±1 mA;
2.2 維持電流測試單元IH
1. 陽極電壓：12V;
2. 預(yù)導(dǎo)通電流： ＞10A,正弦衰減波；
3. 維持電流： 2～450mA ±5%±1 mA;
4. 測試頻率：單次；
2.3 通態(tài)壓降測試單元VTM
1. 平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
2. 模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；
3. 電流上升沿時間：≥5ms；
4. 通態(tài)壓降測試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；
5. 測試頻率：單次；
2.4 斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID；反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元
1. 阻斷電壓：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；
模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV
2. 正反向自動測試：
3．正/反向漏電流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；
精度：±5%±1 mA；
4. 輸出保護(hù)電壓和電流可計算機(jī)設(shè)定范圍值；在測試時電壓或漏電流超過所 設(shè)定的范圍則自動保護(hù)。
5. 測試頻率： 50HZ
2.5 斷態(tài)電壓臨界上升率測試單元dv/dt
1. 電壓：1200V,1600V,2000V三檔，分辨率：1V，精度±5%；
2. 電壓過沖范圍：＜50V±10%
3. DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；
2.6 擎住電流IL：100-1800mA
2.7 平板夾具壓力范圍：6-60KN，氣動加壓方式
整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗(yàn)臺
該套測試設(shè)備主要可測試以下參數(shù)：
1. 門極參數(shù)測試：VGT、IGT
2. 維持電流測試：IH
3. 阻斷參數(shù)測試：本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。
4. 壓降單元
本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數(shù)。
5、 電壓上升率參數(shù)測試：dv/dt
6、 擎住電流IL
7、 門極電阻：適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測試
3-2、測試方法和測試準(zhǔn)則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關(guān)于晶閘管測試的具體規(guī)定。
整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗(yàn)臺
免責(zé)聲明：以上所展示的[ 整流二極管專用靜態(tài)參數(shù)試驗(yàn)臺]信息由會員[西安智盈電氣科技有限公司]自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會員負(fù)責(zé)。
