西安智盈電氣科技有限公司成立于2019年，公司地處西安市西咸新區(qū)秦創(chuàng)園國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，本公司是一家集科研開發(fā)，生產(chǎn)經(jīng)營，技術(shù)服務(wù)為一體具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)。公司技術(shù)工藝，檢測手段完善，擁有一批長期從事電力電子技術(shù)，自動控制系統(tǒng)與應(yīng)用，感應(yīng)加熱技術(shù)，微電子技術(shù)基礎(chǔ)建設(shè)等研究開發(fā)的高級工程師和技術(shù)人才，實力雄厚，多項產(chǎn)品在行業(yè)中處于地位。已通過ISO9001質(zhì)量管理體系認證，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件研發(fā)，電力，鐵路交通，新能源汽車，石油，化工，環(huán)保電子等行業(yè)，公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品有功率半導(dǎo)體器件及組件的檢測設(shè)備及工藝設(shè)備等。公司還致力于發(fā)展系統(tǒng)工程，程序控制。新能源開發(fā)及應(yīng)用等新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，公司具有較強的技術(shù)開發(fā)能力，可根據(jù)用戶和市場的需求，提供技術(shù)方案，技術(shù)咨詢，專業(yè)培訓(xùn)與服務(wù)，奉行技術(shù)創(chuàng)新，誠信服務(wù)愿與國內(nèi)外同行及用戶真誠合作共同進入高科技的新時代。

通過我們自己研發(fā)的各種產(chǎn)品，比如像半導(dǎo)體器件測試儀，加快了半導(dǎo)體各類材料、半導(dǎo)體器件和工藝的開發(fā)，完成制程控制、可靠性分析和故障分析；諸如IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，它們可以滿足對IGBT的大電流、高電壓的測試要求，是檢測半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備；還有像雪崩能量測試儀、晶閘管電參數(shù)測試儀、二極管電參數(shù)測試儀、功率模塊可靠性測試儀、模塊高溫阻斷試驗設(shè)備等產(chǎn)品，做的也是相當(dāng)?shù)某霾?，這就是我對我們的產(chǎn)品十分的有信心，這就是我們團隊所有的力量。質(zhì)量是企業(yè)長遠生存的根基，是企業(yè)競爭的免死，質(zhì)量在心中，責(zé)任在肩上，誠信在言行中，相信我們國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)，控在品質(zhì)！

多年來，公司與時俱進，產(chǎn)品銷往全國各地，據(jù)不完全統(tǒng)計，有深圳華為技術(shù)有限公司、蘇州華為技術(shù)有限公司、深圳比亞迪股份有限公司、深圳華科智源科技有限公司、廣東慧核工業(yè)器材有限公司、安徽長飛半導(dǎo)體有限公司、天津中科方德科技有限公司、江蘇揚杰半導(dǎo)體有限公司、新飛宇電子科技有限公司、揚州國宇電子有限公司、國網(wǎng)電力科學(xué)研究院有限公司、大連東芝電力機車、清華大學(xué)、南京大學(xué)、華北電力大學(xué)等一些國有大型企業(yè)與之合作，經(jīng)過我們的不時努力和追求，也博得了眾多企業(yè)的認可和好評。追求永不停步，創(chuàng)新永無止境，為取得長足發(fā)展，公司會以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、前沿的技術(shù)和周到的服務(wù)來回饋用戶，為社會的科技進步作出貢獻！

核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備的研制生產(chǎn)，參數(shù)測試設(shè)備：

可控硅/晶閘管（參數(shù)測試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測試；動態(tài)參數(shù)測；浪涌參數(shù)測試；老化可靠性測試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測試。

MOSFET參數(shù)測試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；動態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力測試，老化及可靠性測試（HTRB / HTGB）。
IGBT參數(shù)測試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE /

該測試系統(tǒng)是晶閘管、整流二極管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的專用測試設(shè)備。

該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成：

1)       門極觸發(fā)參數(shù)測試單元

2)       維持電流測試單元

3)       阻斷參數(shù)測試單元

4)       通態(tài)壓降參數(shù)測試單元

5)       電壓上升率參數(shù)測試單元

6)       擎住電流

7)       門極電阻

8)       計算機控制系統(tǒng)

9)       合格證標(biāo)簽打印

10)  夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具
IGBT熱循環(huán)負載試驗臺

主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1  門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測試單元IGT/VGT

1.  陽極電壓：12V;

2.  陽極串聯(lián)電阻：6Ω;

3.  門極觸發(fā)電壓：0.3～5.00V±3%±10mV;

4.  門極觸發(fā)電流：2～450mA±3%±1 mA;

2.2  維持電流測試單元IH

1. 陽極電壓：12V;

2. 預(yù)導(dǎo)通電流： ＞10A,正弦衰減波；

3. 維持電流： 2～450mA  ±5%±1 mA;

4. 測試頻率：單次；

2.3  通態(tài)壓降測試單元VTM

1.     平板器件通態(tài)電流：0.10～5.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

2.     模塊器件通態(tài)電流：0.10～2.00kA,分辨率：0.01kA，精度±1 0A±5%；

3.  電流上升沿時間：≥5ms；

4.  通態(tài)壓降測試范圍： 0.20～10.00V, 分辨率：0.01V，精度±0.1 V±5%；

5.  測試頻率：單次；

2.4  斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID；反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元

1.  阻斷電壓：0.20～6.00kV,分辨率：0.01kV，精度±0.1 kV±3%；

模塊單元阻斷電壓：0.20～4.00kV

2. 正反向自動測試：

3．正/反向漏電流：0.2～100 mA,分辨率：0.1 mA；

精度：±5%±1 mA；

4. 輸出保護電壓和電流可計算機設(shè)定范圍值；在測試時電壓或漏電流超過所  設(shè)定的范圍則自動保護。

5. 測試頻率： 50HZ

2.5  斷態(tài)電壓臨界上升率測試單元dv/dt

1.  電壓：1200V,1600V,2000V三檔，分辨率：1V，精度±5%；

2.  電壓過沖范圍：＜50V±10%

3. DV/DT電壓上升率三擋選擇：dv/dt：800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%；

2.6  擎住電流I_L：100-1800mA

2.7  平板夾具壓力范圍：6-60KN，氣動加壓方式

該套測試設(shè)備主要可測試以下參數(shù)：

1.       門極參數(shù)測試：V_GT、I_GT

2.       維持電流測試：I_H

3.  阻斷參數(shù)測試：本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數(shù)。

4.       壓降單元

本測試單元用來測量晶閘管、整流管的V_TM、I_TM、V_FM、I_FM等參數(shù)。

5、           電壓上升率參數(shù)測試：dv/dt

6、           擎住電流I_L

7、           門極電阻：適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測試

3-2、測試方法和測試準(zhǔn)則及原理滿足  IEC 60747-6-2000 中關(guān)于晶閘管測試的具體規(guī)定。
(廣東功率器件生產(chǎn)廠家)
IGBT熱循環(huán)負載試驗臺