磁性器件需要在磁場(chǎng)掃描下測(cè)試，測(cè)試晶圓所花費(fèi)的時(shí)間會(huì)增加芯片成本。在晶圓上方以高掃速改變磁場(chǎng)是工業(yè)化大批量市場(chǎng)面臨的挑戰(zhàn)。Hprobe產(chǎn)品的主要目的是通過(guò)實(shí)現(xiàn)每個(gè)器件的快速測(cè)試時(shí)間，以極高的通量對(duì)晶圓在磁場(chǎng)下進(jìn)行電探測(cè)。Hprobe的專有磁場(chǎng)發(fā)生器技術(shù)使這一目標(biāo)成為可能。
Hprobe的3D磁場(chǎng)發(fā)生器和Hcoil-2T磁場(chǎng)發(fā)生器是專利技術(shù)，與大規(guī)模生產(chǎn)中的晶圓級(jí)電子探測(cè)要求兼容。獨(dú)特設(shè)計(jì)的磁場(chǎng)發(fā)生器通過(guò)電源供電和空氣冷卻，不需要復(fù)雜的液體冷卻。
Hprobe測(cè)試設(shè)備使用100-300mm自動(dòng)晶圓探針臺(tái)。集成了磁場(chǎng)發(fā)生器的測(cè)試頭被置于晶圓探針臺(tái)上。測(cè)試設(shè)備與以下自動(dòng)探針臺(tái)兼容：TEL (Tokyo Electron Limited)、ACCRETECH、Electroglas。
技術(shù)原理
Hprobe磁場(chǎng)發(fā)生器技術(shù)應(yīng)對(duì)了磁性集成電路工業(yè)測(cè)試的挑戰(zhàn)。這些技術(shù)的發(fā)展目標(biāo)是產(chǎn)生對(duì)場(chǎng)強(qiáng)和角度具有極快掃描速率的高強(qiáng)度磁場(chǎng)。磁場(chǎng)發(fā)生器集成到測(cè)試設(shè)備產(chǎn)品中，專用于高通量運(yùn)行的磁性器件晶圓級(jí)測(cè)試。
Hprobe公司的三維磁場(chǎng)發(fā)生器和Hcoil-2T磁場(chǎng)發(fā)生器均為專利技術(shù)，符合批量生產(chǎn)對(duì)晶圓級(jí)電子探測(cè)的要求。獨(dú)特設(shè)計(jì)的磁場(chǎng)發(fā)生器通過(guò)電源供電和空氣冷卻，不需要復(fù)雜的液體冷卻。
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快速：極高的磁掃率，每秒高達(dá)10000件樣品，實(shí)現(xiàn)高通量 測(cè)試，并與批量生產(chǎn)的測(cè)試時(shí)間相匹配。
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靈活：具有獨(dú)立可控空間軸的三維磁場(chǎng)，用于垂直和平面磁場(chǎng)的任意組合。
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強(qiáng)大：?jiǎn)我环较虻某邚?qiáng)度磁場(chǎng)，結(jié)合極快的掃描速度，可在20微秒內(nèi)達(dá)到2特斯拉。
1、三維磁場(chǎng)發(fā)生器：三維磁場(chǎng)發(fā)生器能夠產(chǎn)生三維磁場(chǎng)，其中每個(gè)空間軸可被獨(dú)立驅(qū)動(dòng)。該發(fā)生器具有多種組態(tài)，可在特定的1D、2D或3D方向上最大化磁場(chǎng)強(qiáng)度或表面覆蓋。磁場(chǎng)的掃描速率在場(chǎng)強(qiáng)和角度上上是可控的，掃描速率可達(dá)每秒10000件樣品。
2、Hcoil-2T磁場(chǎng)發(fā)生器：Hcoil-2T磁場(chǎng)發(fā)生器是一種創(chuàng)新性的超緊湊型技術(shù)，能夠以極快的掃描速度在單一方向產(chǎn)生超強(qiáng)磁場(chǎng)。利用這項(xiàng)技術(shù)，可以在不到20微秒的時(shí)間內(nèi)達(dá)到±2特斯拉磁場(chǎng)。
主要特點(diǎn)
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平面內(nèi)和垂直方向的高磁場(chǎng)強(qiáng)度
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磁場(chǎng)的三維控制
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場(chǎng)強(qiáng)和角度掃描（旋轉(zhuǎn)場(chǎng)）
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嵌入式校準(zhǔn)傳感器
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自動(dòng)化測(cè)試程序
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MRAM參數(shù)提取軟件
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可用于100至300 mm晶圓
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與標(biāo)準(zhǔn)探針卡兼容
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完整并可用戶定制的軟件，可創(chuàng)建測(cè)試序列和自動(dòng)探測(cè)
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空氣冷卻
測(cè)試設(shè)備
1、測(cè)試頭：磁場(chǎng)發(fā)生器集成在測(cè)試頭中，后者被安裝在自動(dòng)晶圓探針臺(tái)上，與單個(gè)直流或射頻探針和探針卡兼容。
2、儀表架：測(cè)試設(shè)備使用高端控制和傳感設(shè)備。測(cè)試設(shè)備的儀器組態(tài)可以按照用戶需求而配置。
3、磁場(chǎng)校準(zhǔn)套件：磁場(chǎng)發(fā)生器配有磁場(chǎng)校準(zhǔn)組件，由三維磁傳感器和自動(dòng)定位系統(tǒng)組成，用于在與被測(cè)設(shè)備完全相同的位置校準(zhǔn)磁場(chǎng)。
4、軟件：帶圖形用戶界面GUI（graphical user interface）的軟件，用于磁場(chǎng)的生成、校準(zhǔn)，以及MRAM和磁傳感器的自動(dòng)化電測(cè)量。軟件還包括晶圓廠自動(dòng)化和生產(chǎn)控制功能。
IBEX平臺(tái)（用于MRAM測(cè)試）
IBEX平臺(tái)與200毫米和300毫米自動(dòng)晶圓探針臺(tái)兼容，專用于測(cè)試MRAM磁性隧道結(jié)，以及基于自旋轉(zhuǎn)移矩（STT-MRAM）、自旋軌道矩（SOT-MRAM）和電壓控制（VC-MRAM）技術(shù)的位單元。該系統(tǒng)能夠在快速可變磁場(chǎng)和超窄脈沖信號(hào)下進(jìn)行高通量測(cè)試。
1、IBEX-P MRAM參數(shù)測(cè)試
IBEX-P系統(tǒng)以單通道或多通道配置運(yùn)行，測(cè)試結(jié)構(gòu)中包含過(guò)程控制和監(jiān)控（PCM），因而可用于晶圓驗(yàn)收測(cè)試（WAT）時(shí)生產(chǎn)產(chǎn)量的統(tǒng)計(jì)過(guò)程控制（SPC）。
IBEX使用Hprobe的帶有圖形用戶界面的專用一站式軟件，既可在研發(fā)環(huán)節(jié)中手動(dòng)操作，又可在全自動(dòng)晶圓廠中自動(dòng)操作。該軟件包括專用于MRAM器件的最優(yōu)化生產(chǎn)測(cè)試程序。
該系統(tǒng)采用Hprobe的磁場(chǎng)發(fā)生器專利技術(shù)，將磁場(chǎng)發(fā)生器集成到測(cè)試頭中，后者安裝在晶圓探針臺(tái)上。
該測(cè)試設(shè)備由精選高端儀器驅(qū)動(dòng)， 從而以極快的測(cè)試時(shí)間來(lái)表征MRAM磁性隧道結(jié)或位單元。涉及的儀器包括Keysight、Tektronix和NI等品牌，并使用Hprobe的專有構(gòu)架模塊集成。
2、IBEX-F功能測(cè)試
IBEX-F系統(tǒng)專用于測(cè)試位陣列和片上系統(tǒng)（SoC）嵌入式MRAM存儲(chǔ)器。
測(cè)試系統(tǒng)以單點(diǎn)或多點(diǎn)配置運(yùn)行，用于MRAM陣列的表征和測(cè)試。其目的是進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、驗(yàn)證和鑒定，并轉(zhuǎn)入生產(chǎn)。它還可用于嵌入式MRAM器件的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境、，在后端（BEOL）過(guò)程中進(jìn)行芯片探測(cè)（CP）的篩選和分級(jí)。
該測(cè)試設(shè)備由精選高端儀器驅(qū)動(dòng)，從而以極快的測(cè)試時(shí)間來(lái)表征MRAM磁隧道結(jié)或位單元。涉及的儀器包括Keysight、Tektronix和NI等品牌，并使用Hprobe的專有構(gòu)架模塊集成。
關(guān)于MRAM 測(cè)試
與傳統(tǒng)采用電荷存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器不同，MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種非易失性存儲(chǔ)器，使用磁化（例如電子自旋）方向來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。
與現(xiàn)有的半導(dǎo)體技術(shù)相比，MRAM具有許多優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)樗举|(zhì)上是非易失性的（例如，當(dāng)電源切斷時(shí)能夠保存數(shù)據(jù)），同時(shí)還表現(xiàn)出非常好的耐久性（例如讀/寫(xiě)周期數(shù)）和較低的運(yùn)行功率。最新一代的MRAM為pSTT-MRAM（垂直自旋轉(zhuǎn)移矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），已被業(yè)界選擇取代28/22nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的嵌入式閃存，目前各大半導(dǎo)體代工廠均可提供該產(chǎn)品。
1）MRAM設(shè)備是如何發(fā)展的？
第一代MRAM基于所謂的嵌套型（toggle）技術(shù)，即通過(guò)內(nèi)部磁場(chǎng)寫(xiě)入數(shù)據(jù)（例如磁化翻轉(zhuǎn)）。Toggle-MRAM至今仍然非常成功，但是它耗電量大，且工藝尺寸很難 減小。之后幾代MRAM器件開(kāi)始使用另一種稱為自旋轉(zhuǎn)移矩（STT）MRAM的方法。STT-MRAM使用自旋極化電流寫(xiě)入數(shù)據(jù)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是提供較低和可調(diào)節(jié)的翻轉(zhuǎn)電流，從而開(kāi)發(fā)出更高密度的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2）MRAM的應(yīng)用有哪些？
把pSTT-MRAM首選為先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（eNVM），業(yè)界對(duì)此充滿興趣，并已被一級(jí)半導(dǎo)體代工廠的生產(chǎn)計(jì)劃所證實(shí)。STT MRAM現(xiàn)在已可被批量生產(chǎn)，以滿足多樣化的應(yīng)用領(lǐng)域，如工業(yè)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)、人工智能以及計(jì)算和存儲(chǔ)。
3）MRAM的未來(lái)是什么？
雖然STT MRAM目前是NVM技術(shù)的主流，但全球的研究人員已經(jīng)在研究下一代的產(chǎn)品即SOT-MRAM（自旋軌道矩MRAM）。通過(guò)同時(shí)實(shí)現(xiàn)STT無(wú)法做到的無(wú)限耐久性和高速性，SOT可以把MRAM的應(yīng)用拓展到高速緩存中。SOT-MRAM有可能成為一種通用的嵌入式存儲(chǔ)器，同時(shí)取代微控制器、微處理器和片上系統(tǒng)中的嵌入式NVM和/或嵌入式SRAM。
4）MRAM市場(chǎng)預(yù)測(cè)前景如何？
根據(jù)Objective Analysis and Coughlin Associates于2020年5月發(fā)布的一份報(bào)告，到2030年，新興存儲(chǔ)市場(chǎng)將達(dá)到360億美元。取代多種現(xiàn)有技術(shù)將在很大程度上推動(dòng)這一驚人的增長(zhǎng)，，如取代微控制器、處理器和ASIC中的嵌入式NOR閃存和SRAM模塊，以及專業(yè)的獨(dú)立DRAM內(nèi)存芯片。
此外，存儲(chǔ)行業(yè)向新興內(nèi)存技術(shù)的轉(zhuǎn)移將促使資本設(shè)備支出的穩(wěn)步增長(zhǎng)，相應(yīng)的制造設(shè)備收入將達(dá)到6.96億美元。
5）Hprobe對(duì)MRAM的成功有何貢獻(xiàn)？
高通量、高可靠性的后端（BEOL）制造設(shè)備的可用性是新半導(dǎo)體技術(shù)出現(xiàn)的關(guān)鍵。作為一家在MRAM領(lǐng)域擁有獨(dú)特專業(yè)知識(shí)的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）供應(yīng)商，Hprobe為IC制造商提供了一站式解決方案，將加速M(fèi)RAM產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，確保產(chǎn)品的成功升級(jí)。
測(cè)試時(shí)間是生產(chǎn)中的關(guān)鍵性能指標(biāo)，也是縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間的重要附加值。 為STT-MRAM技術(shù) 構(gòu)建最優(yōu)化的晶圓測(cè)試設(shè)備，使其具有最大的靈活性和最短的測(cè)試時(shí)間，可在MRAM開(kāi)發(fā)階段帶來(lái)巨大的價(jià)值，并可縮短向大批量制造（HVM）升級(jí)的時(shí)間。Hprobe的方案可解決 對(duì)靈活性和產(chǎn)品性能的需求沖突，進(jìn)而在從技術(shù)發(fā)布到生產(chǎn)控制和監(jiān)控的漫長(zhǎng)道路上為工程師提供幫助。
6）Hprobe產(chǎn)品如何運(yùn)行？
本質(zhì)上，MRAM要求在外加磁場(chǎng)的同時(shí)對(duì)晶圓進(jìn)行電測(cè)試。此外，探測(cè)必須用高頻硬件完成，該硬件提供MRAM器件工作時(shí)的超窄時(shí)域電壓/電流脈沖。
因此，晶圓級(jí)參數(shù)測(cè)試通過(guò)以下方式完成：
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掃描器件上方的磁場(chǎng)（垂直和/或平面），同時(shí)通過(guò)直流電流測(cè)量器件電阻。這樣可以得到磁滯回線，它反映了存儲(chǔ)單元從一種狀態(tài)切換到另一種狀態(tài)并保留存儲(chǔ)信息的能力。垂直磁場(chǎng)必須高達(dá)5000 奧斯特（5特斯拉），以切換器件中的兩個(gè)不同磁性層。
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向器件施加超窄（低至300ps， 強(qiáng)度高 至5V）脈沖信號(hào)，以復(fù)制芯片上的讀寫(xiě)操作，并表征其可靠性（擊穿電壓）。
一旦晶圓制造結(jié)束并且芯片制造完成，器件測(cè)試就需要在外部磁場(chǎng)下進(jìn)行，以表征MRAM模塊在與環(huán)境相關(guān)的磁場(chǎng)干擾下工作的抗干擾性。這種測(cè)試可以在切割之前的晶圓級(jí)或封裝芯片級(jí)完成。在這兩種情況下，都需要在自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備上施加三維磁場(chǎng)。
LINX 平臺(tái)（用于傳感器測(cè)試）
LINX平臺(tái)與200mm和300mm自動(dòng)晶圓探針臺(tái)兼容，用于測(cè)試基于xMR（磁阻）和霍爾效應(yīng)技術(shù)的磁性傳感器。該系統(tǒng)能夠在靜態(tài)和快速變化的磁場(chǎng)下進(jìn)行測(cè)試，磁場(chǎng)在空間任何方向可控。
LINX-1–磁性傳感器測(cè)試儀
LINX-1測(cè)試儀專用于磁性傳感器芯片的晶圓級(jí)分選。
該產(chǎn)品使用Hprobes的帶有圖形用戶界面的專用一站式軟件，以單通道或多通道配置來(lái)生成和校準(zhǔn)磁場(chǎng)，包括靜態(tài)或動(dòng)態(tài)模式下優(yōu)化的磁場(chǎng)生成模式。該系統(tǒng)具有可編程功能，可與用戶的測(cè)試平臺(tái)集成。
LINX-1采用Hprobe專有的磁場(chǎng)發(fā)生器技術(shù)，與3軸自動(dòng)化測(cè)試頭集成。它可以使用手動(dòng)或自動(dòng)加載的探針卡進(jìn)行操作。
磁場(chǎng)的產(chǎn)生由高性能儀器驅(qū)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的靜態(tài)磁場(chǎng)或高掃描率的可變場(chǎng)。
儀器組包括Keysight、Tektronix和NI等品牌，并使用Hprobe的專有構(gòu)架模塊集成。
關(guān)于傳感器測(cè)試
磁性傳感器檢測(cè)由磁鐵或電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)和地磁場(chǎng)的強(qiáng)度。它們將磁場(chǎng)或磁編碼信息轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，供電子電路處理。 磁性傳感器正變得越來(lái)越流行，因?yàn)樗鼈兛梢杂糜诙喾N應(yīng)用場(chǎng)合，如傳感位置、速度或運(yùn)動(dòng)方向。磁性傳感器有以下幾種類型：
霍爾效應(yīng)傳感器
霍爾效應(yīng)傳感器 由半導(dǎo)體襯底上的條形載流導(dǎo)體構(gòu)成，當(dāng)置于磁通量中時(shí)，通過(guò)霍爾效應(yīng)產(chǎn)生垂直于電流方向的電壓。霍爾效應(yīng)傳感器被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域。
AMR傳感器
各向異性磁阻（AMR）傳感器由條形或帶狀磁性各向異性材料組成，其等效電阻與磁化方向和導(dǎo)電方向的夾角有關(guān)。與其他磁電阻傳感器相比，AMR傳感器具有相對(duì)較低的磁電阻（MR）率。它們被用于工業(yè)、商業(yè)和空間技術(shù)，作為位移或角度傳感器以及地磁場(chǎng)傳感器。
GMR傳感器
巨磁阻（GMR）傳感器具有三明治結(jié)構(gòu)，由被界面導(dǎo)電層隔開(kāi)的磁性薄膜組成。該傳感器有兩種電阻狀態(tài)：當(dāng)兩個(gè)磁性層磁化方向平行時(shí)，器件為低阻態(tài)；而當(dāng)兩個(gè)磁性層磁化方向相反 時(shí)，器件為高阻態(tài)。GMR傳感器是一種溫度穩(wěn)定性好的精密磁場(chǎng)傳感器。它們已被廣泛應(yīng)用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器（HDD）行業(yè)以及工業(yè)應(yīng)用中。
TMR傳感器
隧道磁阻（TMR）傳感器由被隧穿勢(shì)壘層分離的鐵磁多層膜組成。TMR器件的電阻與兩鐵磁層磁化方向的夾角有關(guān)。與其 它種類 的磁場(chǎng)傳感器相比，TMR傳感器具有更好的信噪比、前所未有的精度、 以及極低的功耗。TMR傳感器在溫度和壽命方面具有可靠穩(wěn)定的性能。因此，TMR傳感器在要求苛刻的應(yīng)用中是首選。
1）磁性傳感器市場(chǎng)和應(yīng)用有哪些？
磁性傳感器的應(yīng)用范圍很廣泛，包括汽車、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、電子醫(yī)療系統(tǒng)、電信、工業(yè)過(guò)程控制等。以往它們被用作羅盤(pán)來(lái)探測(cè)地球磁場(chǎng)，現(xiàn)在被用于多種環(huán)境中，用來(lái)探測(cè)位移、旋轉(zhuǎn)或測(cè)量角度。
2）磁性傳感器的未來(lái)發(fā)展是什么？
磁性傳感器在很多行業(yè)中有大量應(yīng)用，包括 新型導(dǎo)航設(shè)備、 人員偵測(cè)（樓宇自動(dòng)化相關(guān)應(yīng)用）、醫(yī)療領(lǐng)域、汽車行業(yè)、機(jī)器人技術(shù)和工廠自動(dòng)化，這些正引領(lǐng)全球磁性傳感器市場(chǎng)的范式轉(zhuǎn)變。
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全球?qū)ξ锫?lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車、以及高質(zhì)量傳感設(shè)備的需求日益增加，正在影響磁性傳感器在幾個(gè)終端用戶行業(yè)的應(yīng)用。
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由于工業(yè)0的影響，工廠自動(dòng)化采用機(jī)器人技術(shù)的情況越來(lái)越多，推動(dòng)了全球市場(chǎng)在各種安全應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Υ判詡鞲衅鞯男枨?。服?wù)業(yè)的發(fā)展以及數(shù)據(jù)中心和云供應(yīng)商的高速增長(zhǎng)，進(jìn)一步增加了對(duì)這些傳感器的需求。
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汽車行業(yè)對(duì)磁性傳感器的需求預(yù)計(jì)將會(huì)增加。傳感裝置越來(lái)越多地被運(yùn)用于此行業(yè)，以提高車輛的便利性和燃油效率。此外，政府機(jī)構(gòu)的強(qiáng)制性規(guī)定，如在汽車中安裝安全設(shè)備和傳感元件，預(yù)計(jì)也會(huì)為磁性傳感器的發(fā)展創(chuàng)造重要機(jī)遇。
3）磁性傳感器市場(chǎng)預(yù)測(cè)如何？
根據(jù)市場(chǎng)預(yù)測(cè)，2019年全球磁傳感器市場(chǎng)估價(jià)為22.83億美元。預(yù)計(jì)2020年將達(dá)到32.58億美元，2025年將達(dá)到120億美元，2020-2025年復(fù)合年增長(zhǎng)率為51%。
4）Hprobe對(duì)磁性傳感器的成功有何貢獻(xiàn)？
作為一家擁有專利技術(shù)的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）供應(yīng)商，Hprobe為IC制造商提供了一站式解決方案，將加速磁性傳感器產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，確保成功升級(jí)。
測(cè)試時(shí)間是生產(chǎn)中的關(guān)鍵性能指標(biāo)，也是縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間的重要附加值。打造專用于傳感器技術(shù)和產(chǎn)品晶圓測(cè)試的最佳測(cè)試設(shè)備，使其具有最大的靈活性和最短的測(cè)試時(shí)間，將在開(kāi)發(fā)階段帶來(lái)巨大的價(jià)值，并可大大縮短大批量制造（HVM）的上市時(shí)間（TTM）。Hprobe的解決方案滿足了對(duì)靈活性和性能的需求，從而在從技術(shù)發(fā)布到生產(chǎn)控制和監(jiān)控的漫長(zhǎng)道路上為工程師提供支持。
5）Hprobe產(chǎn)品如何運(yùn)行？
傳感器測(cè)量磁場(chǎng)以提取位置、角度、強(qiáng)度和磁場(chǎng)方向的信息。測(cè)量得到傳感對(duì)象運(yùn)動(dòng)或電流方向的數(shù)據(jù)。為了驗(yàn)證芯片產(chǎn)品的最終應(yīng)用，測(cè)試是在晶圓層面上進(jìn)行的，在改變晶圓上方磁場(chǎng)的同時(shí)進(jìn)行電探測(cè)。
晶圓級(jí)測(cè)試通過(guò)以下步驟完成：
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在空間1D、2D或3D的任何方向施加能夠快速穩(wěn)定的靜態(tài)磁場(chǎng)，并測(cè)量傳感器的輸出電響應(yīng)。
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施加快速掃描場(chǎng)強(qiáng)或角度的可變磁場(chǎng)，以高通量分揀產(chǎn)品，在限制測(cè)試成本的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)晶圓上的完全測(cè)試覆蓋。
關(guān)于Hprobe
法國(guó)Hprobe公司成立于2017年，總部位于具有“法國(guó)硅谷”的美譽(yù)格勒諾布爾，是SPINTEC（全球領(lǐng)先的自旋電子學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室之一）的一家衍生公司。
法國(guó)Hprobe基于獨(dú)有的三維磁場(chǎng)發(fā)生器等專利技術(shù)，致力于為磁性器件和傳感器的晶圓級(jí)表征和測(cè)試提供系統(tǒng)解決方案。目前產(chǎn)品提供的服務(wù)內(nèi)容涵蓋磁技術(shù)開(kāi)發(fā)所有階段，能針對(duì)性的為MRAM（STT、SOT、VCMA）和磁性傳感器（TMR、GMR等）進(jìn)行表征和測(cè)試提供專用設(shè)備和服務(wù)。
依托投資方的自身優(yōu)勢(shì)，普瑞億科半導(dǎo)體事業(yè)部聚焦國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝發(fā)展，與Hprobe協(xié)力打造國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的晶圓級(jí)表征和測(cè)試系統(tǒng)解決方案，致力于為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)客戶提供研究級(jí)和生產(chǎn)級(jí)的MRAM和磁檢測(cè)解決方案和服務(wù)支持。
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